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MEMS-TEM樣品桿每一個設計作品都舉世無雙

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PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統

日期:2019-09-29

透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統

        透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統是在標配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實現低溫電學測量或全溫區測量功能。

性能指標

 

透射電子顯微鏡指標:

● 兼容指定型號電鏡及極靴;

● 單傾可選高傾角版本;

● 可選雙傾版本,β角傾轉±25°(同時受限于極靴);

● 測量電極數可選。

 

電學測量指標:

● 包含一個電流電壓測試單元;

● 電壓輸出最大±200 V,最小±100 nV;

● 電流測量最大±1.5 A,最小100 fA;

● 恒壓或者恒流模式;

● 自動電流-電壓(I-V)測量、電流-時間(I-t)測量,自動保存。

 

低溫指標:

● 兼容MEMS加熱及電學芯片;

● 全溫區測量,溫度范圍:85 K- 380 K;

● 控溫穩定性:優于±0.1 K;

● 溫度連續可控。

 

             以上就是澤攸科技PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統的介紹,關于整套系統價格請咨詢18817557412(微信同號)

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作者:小攸